1、鋰電保護(hù)芯片正常狀態(tài)

當(dāng)所有電池電壓都在過充檢測(cè)電壓（Voc）和過放檢測(cè)電壓（Vod）之間，且VINI端電壓在過流檢測(cè)電壓（Vec1）和異常充電檢測(cè)電壓（Vabc）之間，則CW1055處于正常工作狀態(tài)。

2、鋰電保護(hù)芯片過充電狀態(tài)

鋰電池保護(hù)芯片正常狀態(tài)下，任意一節(jié)電池電壓高于過充檢測(cè)電壓（Voc），且超過過充保護(hù)延遲時(shí)間（Toc），CO輸出高阻態(tài)關(guān)斷充電MOSFET，CW1055進(jìn)入過充保護(hù)狀態(tài)。

在過充保護(hù)延時(shí)時(shí)間（Toc）內(nèi)，若所檢測(cè)的電池電壓低于過充檢測(cè)電壓（Voc）的時(shí)間超過過充重置延時(shí)（Treset），則過充累積的延遲時(shí)間（Toc）會(huì)被重置。否則，電池電壓的下降就會(huì)被認(rèn)為是無關(guān)的干擾從而被屏蔽。

3、鋰電保護(hù)芯片過充電保護(hù)解除條件：

1.所有電池電壓處于過充解除電壓（Vocr）以下且超過過充解除延遲時(shí)間（Tocr）。

2.VM端電壓大于負(fù)載檢測(cè)電壓（Vload）且所有電池電壓都低于過充檢測(cè)電壓（Voc）。

4、鋰電保護(hù)芯片過放電狀態(tài)

正常狀態(tài)下（無負(fù)載），任意一節(jié)電池電壓低于過放保護(hù)電壓（Vod），且超過過放保護(hù)延遲時(shí)間（Tod），DO輸出低電平關(guān)斷放電 MOSFET，CW1055進(jìn)入過放保護(hù)狀態(tài)。同時(shí)CO輸出高阻態(tài)，關(guān)斷充電 MOSFET。

5、過放電保護(hù)解除條件：

1.VM處于休眠檢測(cè)電壓（Vslp）和充電器檢測(cè)電壓（Vcharge）之間。所有電池電壓高于過放解除電壓（Vodr）且維持超過過放解除延時(shí)（Todr）。

2.VM電壓小于充電器檢測(cè)電壓（Vcharge）且所有電池都高于過放保護(hù)電壓（Vod）。

6、鋰電保護(hù)芯片休眠狀態(tài)

CW1055進(jìn)入過放保護(hù)狀態(tài)，并超過休眠延時(shí)時(shí)間（Tslp），則CW1055會(huì)進(jìn)入休眠狀態(tài)。DO保持低電平，CO保持高阻態(tài)，維持充放電MOSFET的狀態(tài)。休眠狀態(tài)解除條件：VM電壓處于Vslp電壓以下。

7、鋰電保護(hù)芯片過電流狀態(tài)

CW1055內(nèi)置三級(jí)過流檢測(cè)，過流1，過流2和短路保護(hù)。

保護(hù)機(jī)制：通過VINI端檢測(cè)主回路上檢流電阻的壓降，來判斷是否進(jìn)行相應(yīng)的過流保護(hù)。

以過流1為例，放電電流跟隨外部負(fù)載變化，VINI端檢測(cè)到檢流電阻上的電壓大于過流保護(hù)閥值（Vec1）并維持超過過流保護(hù)延遲時(shí)間（Tec1），DO輸出低電平關(guān)斷放電MOSFET，同時(shí)CO輸出高阻關(guān)斷充電MOSFET。

CW1055進(jìn)入過流保護(hù)狀態(tài)。

在過流保護(hù)狀態(tài)，ECR端子輸出VDD電壓驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET打開，將限流電阻連接至放電回路，電阻的阻值決定了放電恢復(fù)電流的大小。

過流解除條件：

VM端子的電壓低于VDD/2，過流保護(hù)解除。

8、鋰電保護(hù)芯片預(yù)充電

CW1055進(jìn)入過放保護(hù)（Vod）后，CO、DO端子關(guān)閉，充放電MOSFET關(guān)閉。電池充電時(shí)，PRE端子驅(qū)動(dòng)外置MOSFET與VDD相接形成一個(gè)小電流的充電回路。一旦所有電池電壓超過過放保護(hù)電壓（Vod）則進(jìn)入正常充電狀態(tài)，即CO=VDD、PRE=高阻態(tài)。

9、鋰電保護(hù)芯片異常電池檢測(cè)

在預(yù)充電狀態(tài)，任意一節(jié)電池低于異常電池檢測(cè)電壓（Vbad）以下時(shí)，計(jì)時(shí)器開始工作，充電三分鐘后，若電池電壓仍低于異常電池檢測(cè)電壓（Vbad），CW1055認(rèn)為該電池已損壞，PRE端子關(guān)閉預(yù)充電MOSFET，終止充電。均衡功能

電池容量均衡功能用來均衡電池組中各節(jié)電池容量。

在CW1055系列產(chǎn)品中，若某一節(jié)電池電壓高于平衡啟動(dòng)電壓（Vbal），而其他電池電壓低于平衡啟動(dòng)電壓（Vbal）時(shí)，均衡開啟，外置放電回路導(dǎo)通。當(dāng)開啟放電回路的電池電壓降至平衡遲滯電壓（Vbalhys）

以下時(shí)，或者此節(jié)電池電壓達(dá)到過充檢測(cè)電壓（Voc），均衡關(guān)閉。

CW1055可以最多同時(shí)開啟四路均衡。所有電池都高于平衡啟動(dòng)電壓（Vbal）時(shí)，均衡不會(huì)開啟。通過設(shè)置，CW1055可以選擇過充保護(hù)后均衡繼續(xù)工作。即，電池過充保護(hù)后，電池外置均衡放電回路仍然繼續(xù)工作，當(dāng)所有電池電壓均低于過充解除電壓（Vocr）時(shí)，CW1055打開CO端MOSFET，電池繼續(xù)充電。如此循環(huán)直至所有電池電壓都在平衡啟動(dòng)電壓（Vbal）之上。

CW1055可選是否采用分時(shí)均衡。

分時(shí)均衡，即當(dāng)均衡啟動(dòng)時(shí)，每個(gè)通道的均衡依次開啟，單通道的開啟時(shí)間8ms。若兩個(gè)電池同時(shí)均衡時(shí)，每個(gè)通道各依次工作8ms。即使單通道開啟瞬間電池電壓低于均衡回復(fù)值，也需要做完8ms的放電電流后再關(guān)閉。

分時(shí)均衡可以使均衡電路熱耗散設(shè)計(jì)的利用率最大化，即增加平均均衡電流。

電池節(jié)數(shù)選擇

SEL1、SEL2是電池串聯(lián)數(shù)選擇端子，可以通過它們來選擇電池串聯(lián)數(shù)量，如下表：

當(dāng)CW1055的VDD電壓小于0V充電開始電壓（Vov），連接充電器且充電器輸出電壓高于PRE 端 M OSFET開啟閥值時(shí)，預(yù)充電MOSFET開啟，0V電池開始充電。

10、鋰電保護(hù)芯片延遲時(shí)間設(shè)置

延遲時(shí)間是指CW1055從檢測(cè)到電壓達(dá)到設(shè)定的保護(hù)閥值至CW1055驅(qū)動(dòng)CO/DO端輸出高/低電平的時(shí)間。

CW1055的過充、過放、過流1和過流2保護(hù)都可以通過外部電容來設(shè)置延遲時(shí)間。

CW1055通過內(nèi)置電流源給外部電容充電，一旦電容電壓達(dá)到設(shè)定的電壓閥值就觸發(fā)保護(hù)動(dòng)作。

不同端口輸出電流如下：

CCT=0.2uA；CDT=2uA；CIT=0.2uA延遲時(shí)間T=1.6V·/I（s）以過充電保護(hù)為例，CCT端連接0.1uF的電容，延遲時(shí)間T=（1.6*0.1u/0.2uA）s，即0.8s。

其他延遲時(shí)間計(jì)算與過充保護(hù)相同。

11、鋰電保護(hù)芯片的溫度保護(hù)

NTC電阻的阻值會(huì)隨著溫度的變化而變化，若RCOT、RDOT端檢測(cè)到的電壓達(dá)到內(nèi)部比較閥值，且維持Tcot/Tdot時(shí)間，充電過溫保護(hù)和放電過溫保護(hù)觸發(fā)。

充電過溫保護(hù)后，充電MOSFET關(guān)斷，但放電MOSFET打開；放電過溫保護(hù)后，充放電MOSFET同時(shí)關(guān)斷。

過溫閥值設(shè)置步驟

1.選擇NTC電阻；

2.確定充電過溫保護(hù)閥值，如：50℃；

3.根據(jù)NTC電阻的曲線圖，找到50℃對(duì)應(yīng)的電阻值，如35kQ；

4.使用相同阻值的正常電阻連接至RCOT引腳；

5.放電過溫保護(hù)設(shè)置使用相同的方法，但電阻需連接至RDOT引腳；

6.通過選擇電阻來設(shè)定合適的過溫保護(hù)溫度CW1055使用一個(gè)NTC來達(dá)到不同的充電過溫和放電過溫閥值設(shè)定。但此電路必須應(yīng)用于充放電異口的應(yīng)用設(shè)計(jì)。如果充放電同口，充電過溫和放電過溫只能使用一個(gè)溫度閥值。

CW1055可選低溫保護(hù)。

低溫保護(hù)只針對(duì)充電，在RCOT端進(jìn)行設(shè)置，設(shè)置方式與過溫保護(hù)一致。

若選擇低溫保護(hù)，充電過溫和放電過溫只能使用一個(gè)溫度閥值。